大家好(hǎo)，来看一则突发(fā)消息。

　　美(měi)光公司在华销售的产品未通过网络安(ān)全审查

　　据网(wǎng)信办消息，日(rì)前，网(wǎng)络安全审查办公室依法对(duì)美(měi)光公司在华销(xiāo)售产(chǎn)品进(jìn)行了网络安全审(shěn)查。

　　审(shěn)查发现，美光(guāng)公司产(chǎn)品存在较严(yán)重网络安全问题隐患(huàn)，对我国(guó)关键信息基础(chǔ)设施供应(yīng)链造成重大(dà)安全风险，影响我国国家安全。为此(cǐ)，网(wǎng)络安全(quán)审查办公室依法作出不(bù)予通过网络安全(quán)审查的结(jié)论(lùn)。按照《网络安全法》等法律法(fǎ)规，我国(guó)内关键信息(xī)基(jī)础设施的运营者应停止采购美光公司产(chǎn)品。

　　此次对美光公司(sī)产(chǎn)品进行(xíng)网络安全审查，目(mù)的是防范产(chǎn)品网(wǎng)络(luò)安全问题(tí)危害国家(jiā)关键(jiàn)信息基础设施安全(quán)，是维护(hù)国家安全的必要(yào)措(cuò)施。中(zhōng)国(guó)坚定推(tuī)进(jìn)高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要(yào)遵守中(zhōng)国法律法规要(yào)求，欢迎各(gè)国企业、各类平台产品服务进入中(zhōng)国市场。

　　3月31日，中国(guó)网信网(wǎng)发文(wén)称，为保障关键信息基础(chǔ)设(shè)施供应链安(ān)全，防范产品问(wèn)题隐(yǐn)患造成网(wǎng)络安全风险，维护国(guó)家安全(quán)，依据《中(zhōng)华人(rén)民共和国国(guó)家(jiā)安全法(fǎ)》《中华人民共(gòng)和国网络安全法》，网络安全审查(chá)办公室按照《网络安全审查(chá)办法(fǎ)》，对美光(guāng)公司（Micron）在华销售的产品实施网(wǎng)络安全审查(chá)。

　　美光是美国的存储芯片(piàn)行业龙头，也是全(quán)球存(cún)储芯片巨头之一，2022年收入来自中国市(shì)场收入从(cóng)此前(qián)高峰57％降至(zhì)2022年(nián)约11％。根(gēn)据市场咨询机构(gòu) Omdia（IHS Markit）统计(jì)，2021 年三星电子、 铠侠、西部数据、SK贪嗔痴慢疑什么意思啊，贪嗔痴慢疑的对应一句 海力(lì)士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪存(cún)）市场份额约为 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美(měi)光在全球 DRAM （内存）市场份额约为 94.35％。

　　A股上(shàng)市(shì)公司中，江波龙、佰(bǎi)维存储等公(gōng)司(sī)披露过美光(guāng)等国际存储厂商为公司(sī)供应(yīng)商。

　　美光(guāng)在江波龙采购占比已经显著下降，至少已经(jīng)不是主要大供应商。

　　公告显示(shì)， 2021年(nián)美光(guāng)位(wèi)列(liè)江(jiāng)波龙第(dì)一大存储(chǔ)晶圆(yuán)供应商，采购约31亿元(yuán)，占(zhàn)比33.52％；2022年，江波龙第一(yī)大、第(dì)二(èr)大和第三大供应商采购金额占比分(fēn)别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前江波龙(lóng)已经在(zài)存储产业(yè)链上(shàng)下游建立国内外广泛合(hé)作。2022年年报(bào)显示，江波龙(lóng)与(yǔ)三星(xīng)、美光、西(xī)部(bù)数据等(děng)主要存储(chǔ)晶(jīng)圆(yuán)原厂(chǎng)签(qiān)署了长期合约(yuē)，确(què)保(bǎo)存储晶圆供应的稳定性，巩固公司在下游市场的供应优势(shì)，公司也与国内国产存储(chǔ)晶圆原厂武汉长江(jiāng)存储(chǔ)、合(hé)肥长鑫保持(chí)良好(hǎo)的(de)合作。

　　有券商此前就分析，如果美光在中国(guó)区销(xiāo)售(shòu)受到限(xiàn)制，或(huò)将导致下游客户转而采购(gòu)国外(wài)三星(xīng)、 SK海力士，国内长(zhǎng)江(jiāng)存储(chǔ)、长鑫存储等竞对产品

　　分析称，长存(cún)、长鑫的上(shàng)游设备厂或从(cóng)中受益。存储(chǔ)器(qì)的生产已经演进到(dào)1Xnm、1Ynm甚至1Znm的(de)工艺。另外NAND Flash现在已经进入3D NAND时代，2 维到3维(wéi)的结构转变(biàn)使刻蚀(shí)和薄膜成(chéng)为最关键、最大(dà)量的加(jiā)工设备。3D NAND每层均(jūn)需要经过薄膜沉积工艺步骤，同时刻蚀目前前沿要刻到 60：1的(de)深孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生(shēng)更多设备需(xū)求。据东京电子披露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线(xiàn)资(zī)本开支(zhī)合计(jì)为(wèi)75％。自长江存储被加入(rù)美国限制(zhì)名单，设备国(guó)产化进程加(jiā)速(sù)，看好拓荆(jīng)科技（薄膜沉积）等(děng)相关(guān)公司份额(é)提升，以(yǐ)及存储业务占比较高的华(huá)海清(qīng)科（CMP）、盛美上(shàng)海（清(qīng)洗）等收(shōu)入增长。

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